pcb蚀刻因子是越大越好吗为什么(蚀刻因子计算公式)
5842023-08-20
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蚀刻缸有油分离方法主要有重力式分离、离心式分离、电分离、吸附分离、气浮分离等。
离心分离:利用油水密度的不同,使高速旋转的油水混合液产生不同的离心力,从而使油与水分开。由于离心设备可以达到非常高的转速,产生高达几百倍重力加速度的离心力,因此离心设备可以较为彻底地将油水分离开,并且只需很短的停留时间和较小的设备体积。由于离心设备有运动部件,日常维护较难,因此只应用于试验室的分析设备和需要减小占地面积的场所。
是的,算的方法是:二倍的铜厚除以线宽下幅减线宽上幅,也就是说毛边越小越好。
对蚀刻因子的理解结果,计算方法是以蚀刻过程完成后蚀刻线的上线宽和下线宽为计算依据的,具体计算公式是蚀刻因子=蚀刻线厚/[(下线宽-上线宽)/2]。
通过计算方法的试验结果显示,过蚀越多,蚀刻因子越大。对于正常蚀刻的0.5oz薄铜板计算蚀刻因子为2.5,而过度蚀刻的厚铜板(10Z和2oz)蚀刻因子高达5.6和6.0,差异很大。蚀刻因子计算方法2的公式是蚀刻因子=蚀刻线厚/[(抗蚀层宽度-最窄线宽)/2]
这个问题可以扩展为:为什么arm架构的芯片都那么省电!
引言最初的ARM架构被设计成即使是一个相对简单的指令译码器,也能以架构允许的最大速度运行。
后来的ARM版本有稍微复杂一点的指令解码逻辑,但是每条指令都是一个或两个单词长。
在x86架构上,指令可以是1字节长,也可以是14字节长。
在设计最初的x86架构时,指令是按顺序执行的,而且每个指令都需要多个周期才能执行。
如果执行一条指令需要三个周期,那么找到下一条指令的起始点也需要三个周期。
另一方面,现在人们很难忍受x86代码运行得那么慢了。
设计能够快速运行x86指令的硬件是有可能的20年前,你可能会认为复杂的指令解码会限制x86的速度,但事实并非如此。
x86架构要求英特尔和其他芯片制造商,包括一些相当复杂的转换和缓存逻辑,以便一段代码第一次运行时,就转换成易于解码的形式。
如果代码再次运行,则可以跳过转换。可纵然是非常快的芯片,这些逻辑也消耗能量。
相对而言,许多低功耗ARM芯片的前端逻辑要少得多。
x86有这么缓存转换性能,arm比不上;可是,没有了额外技能加身的x86,比arm要逊色的多。
说说功耗在低功耗的应用中,ARM处理器一直是首选,现在仍然是首选。
比较功耗并不是一件简单的事情。操作系统、RAM大小和类型、闪存和使用的接口等方面需要与处理器的影响分开。
然而,一般的规则是,ARM在关闭处理器和等待唤醒的模式和可能性方面非常强大。这种空闲模式是指操作系统正在运行,但只等待输入(例如来自鼠标、键盘或应用程序的输入)。
X86处理器的预期功耗大约为1瓦特。在i.MX6处理器的功耗将是这个数字的一半。
此外,ARM高端部分得益于少数状态/模式,这些状态/模式(states/modes)的功耗低至100mW,而不牺牲合理快速唤醒的可能性。
低功耗有许多优点。
手持式和电池供电的产品,将受益于增加电池寿命。做产品设计则可以使用更小的电池。由于需要更小的冷却装置,材料清单、BOM成本和产品尺寸可能会进一步减少。
写在最后天下武功,唯快不破!小而快而全的arm架构普及也得益于其自身设计上的权衡。
Happycoding:)
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